一个国家的强大离不开科学技术的慢慢的提升和发展，中国自实现真正的独立和解放之后在科学研发技术创新方面投入了相当大的资金和精力，并且得到了长足的进步和发展。在航天领域，中国成功着陆月球背面；在航空研发上，中国拥有了自主研发的国产航母；而在材料科学方面，一种新型“黑科技”材料的出现更是让国人为止振奋。

  这样一种材料名为砷化铌纳米带，是目前已知的电导率超石墨烯足足1000倍的一种材料，其超高的导电率便是这种外尔半金属材料的最大特性和最大优势。外尔半金属其实是一种具有拓扑非平庸能带结构的，且满足外尔方程i /t · = H·，H = cσ·p的一类金属材料，这种材料也被称为是“三维的石墨烯”。

  石墨烯和这种新型材料之所以能拥有超高的导电率，简单的讲是因为在这些材料之中电子的有效质量为零，这也就是意味着电子在材料之中的运动受到的影响极地，基本能忽略不计。而砷化铌纳米带的表面态还具有拓扑结构，也就是说这样一种材料的导电能力及其稳定。

  对于材料最简单的划分就是金属和绝缘体，而金属材料所拥有的导电能力在我们的生产生活之中应用十分广泛，其中集成电路技术的逐步发展就离不开导电率强的材料的支持。而此次新型材料的复旦大学研发团队则指出，这种新型材料能轻松实现在室温下仍满足超高导电率，能切实实现在电子器件能耗方面的能耗降低。

  从最贴近我们日常生活的一个角度来讲，这样一种材料能非常大程度上减少电流经过导线时引起的导线发热，也就是说能极大的减少手机和电脑在使用之中产生的发热问题。而未来，这种新型材料也必然会给中国的科技发展带来更进一步的成果和进步。