据报道，韩国KAIST大学物理系的科研人员开宣布可控厚度的黑磷地道场效应晶体管（TFET），相对传统半导体（CMOS）晶体管，该晶体管的功耗低10倍，待机功耗低10000倍。该研讨小组表明，他们研制的黑磷TFET完成了创纪录的高通态电流，这使得TFET能够以比传统CMOS晶体管更高的速度运转，而且功耗更低。
晶体管的不断缩小一直是当时信息技术成功开展的要害。但是，跟着摩尔定律因功耗添加而到达极限，火急地需求开发新的代替晶体管规划。业界的人表明，黑磷晶体管已更快的作业速度和更低的功耗，能够替代传统的CMOS晶体管。特别是，他们处理了晶体管运转功能和功耗联系的两难问题，为扩展摩尔定律铺平了路途。
兴发集团：我国最大的磷矿资源企业。公司控股子公司中科黑磷与中科院先建立联合实验室，进行二维黑磷的大规模制备及使用，已在芯片制作、进步贵金属催化作用、抗肿瘤靶向医治方面取得发展，已申报和正在申报的黑磷相关专利达15项；
澄星股份：我国精密磷化工有突出贡献的公司，现已取得采矿权或探矿权的磷矿资源储量超越1.26亿吨。